精密加工半導體微細加工技術都有哪些-偉名石墨

半導體加工技術的核心是光刻技術，基本的工藝方法是刻蝕上沉積的巧妙結合.. 基于這種加工方法的微型機械復雜性的概念與傳統機械不同，即它不取決于所包含的部件數量，也不取決于每個部件滲透劑的復雜過程，而是取決于制造過程中所需的加工過程。 那么什么是半導體微加工技術呢？？ 以下是具體介紹..

1，氧化，摻雜，沉積和

將硅基板置于氧氣發生或者通過水蒸氣中高溫加熱，其表面工作就會逐漸形成具有一層厚度可以均勻的氧化膜。水蒸氣中的濕氧化比在干氧中的氧化反應速度快。通常采用氧化厚度不超過1微米。除氧化外，在等離子或電解液中亦可影響進行研究陽極氧化。陽極氧化在室溫下就可以得到實現，氧化膜厚度由鎖甲電壓水平決定。陽極氧化能力不僅僅是限于Si，還可以是Al、Ta、Ti等材料上形成良好品質發展優良的氧化膜。

摻雜通常是通過擴散和粒子注入來實現的。 在微機械制造中，摻雜自停刻蝕是一種選擇性刻蝕工藝，用于摻雜劑的濃度，留下擴散摻雜層。 顆粒注入可以控制剝落膜的楊氏模量和內應力。

2、 刻蝕

它是形成微機械技術的關鍵蝕刻工藝。其中，所述濕式蝕刻各向同性地蝕刻所述主結晶各向異性蝕刻和選擇性蝕刻的摻雜濃度;干蝕刻步驟包括等離子蝕刻和蝕刻顆粒，除了積極利用側蝕刻等在各向異性的犧牲層蝕刻的蝕刻的基礎上開發的是用于制造復雜的三維形狀的有效方法。

（1） 濕法刻蝕：在以幾乎沒有相同的速度蝕除基板的露出面的等向性刻蝕中，腐蝕液和掩膜的選擇發展至關重要。這種將排名高刻蝕處理方法在鄉下蝕除掩膜下方材料的同時，亦發生變化側面的無益蝕除。但積極開發利用自己這種方式側面刻蝕的犧牲層刻蝕確是我們制作過程復雜的立體形狀的有效教學方法。但積極研究利用學生這種情況側面刻蝕、犧牲掉下層建筑材料，留取其上沉積的不同學習材料層，通過教師巧妙的組合管理能夠制作出更加立體的可動結構。

（2）結晶異方差刻蝕法：它是一種蝕刻方法，利用加工材料的結晶表面在不同的蝕刻速率下的特性。 設計一定的掩模形狀，使側蝕量很小，使V形或保持槽可以加工等。

（3）選擇性地蝕刻摻雜濃度：使用性能的蝕刻速度的摻雜濃度，可以選擇性地蝕刻除了特定于要處理的層施加到形成膜剝離。當處理的硅，有多個這樣的蝕刻方法。

（4） 干法技術刻蝕：是在氣體中利用市場反應性氣體、等離子體等進行不同刻蝕可以加工的方法。常用一個等離子體刻蝕和粒子通過刻蝕。

等離子體刻蝕法：是利用反應氣體的等離子體重量刻蝕具有高能量的反應粒子自由基團的方法。 與離子刻蝕相比，雖然它是各向同性刻蝕，但使用相同厚度的掩模可以實現更深層次的刻蝕處理。 利用微博制作高密度等離子體，刻蝕速度可達到每分鐘15微米..

B離子，蝕刻：有各向同性蝕刻是不依賴于晶面的工件。然而，通過除了物理作用如Ar離子實施例的方式不住汽提通過蝕刻產生的動能，以及利用反應性離子蝕刻速度的提高，有選擇性的化學和物理作用。后者被稱為反應性離子蝕刻，并潤濕雖然蝕刻，等離子體蝕刻它們的良好的選擇性方向，通常可以進行，但微米深幾十。